Framleiðandi Vöru númer:
IPD16CN10N G
Product Overview
Framleiðandi:
Infineon Technologies
Völu númer:
IPD16CN10N G-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 53A TO252-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 53A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Birgðir:
12801090
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IPD16CN10N G Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Infineon Technologies
Pakkning
-
Röð
OptiMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
53A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 53A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 61µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3220 pF @ 50 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
PG-TO252-3
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IPD16C
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
IPD16CN10N G-DG
IPD16CN10NG
SP000096454
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FDD86102LZ
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
20852
HLUTARNÁMR
FDD86102LZ-DG
Einingaverð
0.62
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IPD135N03LGBTMA1
LV POWER MOS
BSP716NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 75V 2.3A SOT223-4
IPD65R1K5CEAUMA1
MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3
